Flash sucessor anunciado

Barra, uma start up na Califórnia, anunciou hoje a sua RAM resistência ou produto ReRAM. Sua tecnologia de memória não volátil promete vários avanços

A chave é a sua estrutura elétrica simples. Eles têm um material à base de silício de três camadas constituído por um eléctrodo de topo, meio de comutação, e um eléctrodo de fundo.

Tensão através dos eléctrodos cria um filamento através dos eléctrodos, que armazena os dados. O filamento é muito pequena – da ordem de 10 nm – para que ele possa ajustar-se encolhendo tamanhos características. Barra reivindica uma retenção de 10 anos em menos de 125 ° C e 10.000 ciclos de escrita para cada célula.

10k não pode soar como um número grande, mas é 10 vezes o desempenho de gravação de flash de célula multinível atual. Usando tecnologias que prolongam a vida bem compreendidos do mundo do flash, a vida taxa efetiva será mais de 10 vezes isso.

Ainda melhor: a velocidade de gravação é 20 vezes maior do que o flash. Que elimina muitos dos problemas que os controladores de flash assolam hoje. Significa, também, os controladores deve custar significativamente menos.

Barra é apoiada por Kleiner Perkins – uma das empresas de capital de risco maiores e mais bem sucedidas – e usa tecnologia desenvolvida na Universidade de Michigan. Porque é CMOS compatível eles vão primeiro ao mercado por meio do licenciamento CMOS fábricas para a utilização da memória no system-on-a-chip e uso do dispositivo incorporado.

dispositivos embarcados incluem smartphones, tablets e outros dispositivos de consumo e industriais. Você pode imaginar um tablet com 8 TB de armazenamento?

Eu posso.

Até 1 TB de armazenamento em um único chip; Simples empilhamento 3-D para vários terabytes; Muito baixo consumo de energia que ajuda a prolongar a vida útil da bateria; 20x mais rápido escreve que flash NAND; fabricação de baixo custo – processo compatível CMOS; Metade do tamanho dice de flash atual

Os bits de armazenamento tomar; Há uma variedade de tecnologias de resistência RAM que disputam a decolagem. Alguns prometem escreve muito rápido e longa duração, mas não são facilmente manufacturable.

Dados os enormes investimentos na capacidade fab atual – uma fábrica state-of-the-art pode custar US $ 5 bilhões – o fator de sucesso mais importante é que ele pudesse ser produzido utilizando tecnologias e materiais atuais. Essa é a abordagem que Crossbar tomou e é um bom augúrio para a sua capacidade de chegar rapidamente ao mercado a um preço competitivo.

Uma vez que saiu do papel que pode ser transportando telefones com um terabyte de armazenamento permanente. Mas a sua estratégia de implementação é conservador então a menos que a Apple ou a Samsung compra-los e bombas bilhões para a tecnologia, não espere para ver os produtos ReRAM consumidor até 2016.

Mas é algo olhar para a frente!

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Comentários bem-vindos, claro. Como é que um telefone 1TB alterar a forma como o seu uso?

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